Особенности технологии прямой лазерной записи дифракционных и голограммных структур на пленках а-Si и GeTe

А. А. Кутанов, Н. Сыдык уулу, И. А. Снимщиков, В. П. Макаров, С. С. Великасов

Институт физико-технических проблем и материаловедения Национальной академии наук Кыргызской Республики, Бишкек, Киргизия

Разработана система интерференционной литографии (СИЛ) с прямой лазерной записью на слое аморфного кремния, предназначенная для формирования дифракционных микроструктур, состоящих из микрорешеток размером 5–10 мкм с заданной ориентацией и периодом, изменяемым в диапазоне 0,4–1,2 мкм, и общем полем записи 300 × 300 мм. Отработана технология магнетронного нанесения однородных пленок а-Si на поверхность стеклянных подложек и получения интерференционных фильтров со слоем аморфного кремния, нанесенного на проводящий слой. Прямая лазерная запись точечных голограмм на пленке аморфного кремния проводилась импульсным УФ лазером с λ = 355 нм наносекундными импульсами 5–8 нс. Разработана технология прямой лазерной записи на слое аморфного кремния интерференционного фильтра с контрастным изображением одномодовым полупроводниковым лазером с λ = 405 нм. Разработанные система и технология прямой записи на а-Si и интерференционных фильтрах с могут быть использованы для записи дифракционных и голограммных структур. Рассмотрены возможности прямой лазерной записи на материале GeTe.

Кутанов, А. А. Особенности технологии прямой лазерной записи дифракционных и голограммных структур на пленках а-Si и GeTe / А. А. Кутанов, Н. Сыдык уулу, И. А. Снимщиков, В. П. Макаров, С. С. Великасов //  Мир Голографии. — 2017. — Том 3. — № 1. — С. 50–52.

Скачать статью | Том 3, № 1 (2017)